STP18N55M5,STP18N55M5|STMicroelectronics代理分銷-STP18N55M5原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| STP18N55M5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET, N CH, 550V, 13A, TO-220
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| STP18N55M5 [更多] | STMicroelectronics | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 550V, 10A, 110W, TO220-3
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PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | ST(B,D,F,P)18N55M5 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 其它有關(guān)文件 | STP18N55M5 View All Specifications |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 550V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 13A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 240 毫歐 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1352pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 90W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB |
| 其它名稱 | 497-10963-5 |
