數(shù)據(jù)列表 | STx10NM65N |
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產(chǎn)品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
其它有關(guān)文件 | STP10NM65N View All Specifications |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | MDmesh™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 650V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 9A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 480 毫歐 @ 4.5A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 850pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 90W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1541 (CN2011-ZH PDF) |
配用 | |
其它名稱 | 497-7499-5 STP10NM65N-ND |