典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 18 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 7 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 11 nC @ 10 V | |
典型輸入電容值@Vds | 165 pF @ 50 V | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 3.7mm | |
封裝類型 | SOT-223 | |
尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.7mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 3.3 W | |
最大柵源電壓 | ±30 V | |
最大漏源電壓 | 400 V | |
最大漏源電阻值 | 3.4 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 1.8 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
長(zhǎng)度 | 6.7mm | |
高度 | 1.7mm |