數(shù)據(jù)列表 | STN1N20 |
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產(chǎn)品相片 | SOT223-3L |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | MESH OVERLAY™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 1A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 1.5 歐姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 15.7nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 206pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.9W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-261-4,TO-261AA |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-223 |
其它名稱 | 497-3176-2 |