數(shù)據(jù)列表 | STL3NM60N |
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其它有關(guān)文件 | STL3NM60N View All Specifications |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | Mdmesh™ II |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 600V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 650mA (Ta), 2.2A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 1.8 歐姆 @ 1A, 10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 9.5nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 188pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 22W |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerVDFN |
供應(yīng)商器件封裝 | PowerFlat?(3.3x3.3) |
其它名稱(chēng) | 497-13351-2 |