型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK 详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 70W(Tc) I2PAK 型号:STI8N65M5 仓库库存编号:497-11333-5-ND 别名:497-11333-5 | 无铅 | 搜索 |
數(shù)據(jù)列表 | STx8N65M5 |
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產(chǎn)品相片 | TO-262-3 |
其它有關文件 | STI8N65M5 View All Specifications |
標準包裝 | 50 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | MDmesh™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 650V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 7A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 600 毫歐 @ 3.5A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 690pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 70W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA |
供應商器件封裝 | I2PAK |
其它名稱 | 497-11333-5 |