典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 90 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 25 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 70 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 2050 pF V @ 50 | |
安裝類型 | 通孔 | |
寬度 | 4.6mm | |
封裝類型 | I2PAK | |
尺寸 | 10.4 x 4.6 x 10.75mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最大功率耗散 | 150 W | |
最大柵源電壓 | ±25 V | |
最大漏源電壓 | 650 V | |
最大漏源電阻值 | 0.18 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 19.5 A | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
長度 | 10.4mm | |
高度 | 10.75mm |