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聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

	典型柵極電荷@Vgs	50 nC @ 10 V
	典型輸入電容值@Vds	1950 pF @ 100 V
	安裝類型	通孔
	寬度	4.6mm
	封裝類型	I2PAK
	尺寸	10.4 x 4.6 x 10.75mm
	引腳數(shù)目	3
	最大功率耗散	125 W
	最大柵源電壓	±25 V
	最大漏源電壓	650 V
	最大漏源電阻值	0.179 Ω
	最大連續(xù)漏極電流	10.7 A
	最高工作溫度	+150 °C
	每片芯片元件數(shù)目	1
	類別	功率 MOSFET
	通道模式	增強
	通道類型	N
	長度	10.4mm
	高度	10.75mm

手機網(wǎng)站相關(guān)詳細信息：STI21N65M
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旗下站點lnwkt.cn.cn相關(guān)詳細信息: 暫無相關(guān)型號

詢價

業(yè)務(wù)受理時間：周一至周五（上午9:00～下午18:00），下午17:00之前的訂單當(dāng)日發(fā)貨，17:00之后的訂單次日發(fā)貨（周日、節(jié)假日順延），推薦合作貨運物流：順豐快遞�？爝f費用：23元。

• *所需產(chǎn)品：
• 型號: STI21N65M 品牌: STMicroelectronics 備注: MOSFET，N溝道，650V，17A，I2PAK

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

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