數(shù)據(jù)列表 | STH110N10F7-(2,6) |
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產(chǎn)品相片 | STH110N10F7-2 |
其它有關(guān)文件 | STH110N10F7-2 View All Specifications |
特色產(chǎn)品 | STMicro - STP310N10F7 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | StripFET™ VII, DeepGATE™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 110A |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 6.5 毫歐 @ 55A, 10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 60nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 5500pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 150W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 2-SMD |
供應(yīng)商器件封裝 | H²PAK |
其它名稱 | 497-13549-2 STH110N10F72 |