典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 35 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 20 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 18 nC @ 10 V | |
典型輸入電容值@Vds | 620 pF @ 25 V | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 2.4mm | |
封裝類型 | TO-251 | |
尺寸 | 6.6 x 2.4 x 6.2mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 90 W | |
最大柵源電壓 | ±30 V | |
最大漏源電壓 | 800 V | |
最大漏源電阻值 | 1.05 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 6.5 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
長(zhǎng)度 | 6.6mm | |
高度 | 6.2mm |