數(shù)據(jù)列表 | ST(D,F,P)100N10F7 |
---|---|
其它有關(guān)文件 | STD100N10F7 View All Specifications |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | StripFET™ VII, DeepGATE™ |
包裝 | 剪切帶 (CT) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 80A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 8 毫歐 @ 19A, 10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 56nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 4390pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 120W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商器件封裝 | DPAK |
其它名稱 | 497-13548-1 497-13548-1-ND 497-13548-5 |