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STB8N65M5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 制造商零件编号: STB8N65M5 品牌: STMicroelectronics 库存编号: 761-0409 | 搜索 |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 70W(Tc) D2PAK 型号:STB8N65M5 仓库库存编号:497-10875-1-ND 别名:497-10875-1 | 无铅 | 搜索 |
數(shù)據(jù)列表 | STx8N65M5 |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
其它有關(guān)文件 | STB8N65M5 View All Specifications |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | MDmesh™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 650V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 7A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 600 毫歐 @ 3.5A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 690pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 70W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK |
其它名稱 | 497-10875-2 |