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STB35NF10T4,STB35NF10T4|STMicroelectronics代理分銷-STB35NF10T4原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

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MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp

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Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STB35NF10T4)

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Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 28A, 115W, D2PAK

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB

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STB35NF10T4|STMicroelectronics
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
STB35NF10T4
制造商型號： STB35NF10T4
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
技術參考： Rohs PDF查詢
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訂購熱線： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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產(chǎn)品信息
數(shù)據(jù)列表 ST(B,P)35NF10
產(chǎn)品相片 TO-263
其它有關文件 STB35NF10 View All Specifications
標準包裝  1,000
類別分立半導體產(chǎn)品
家庭FET - 單
系列STripFET™
包裝  帶卷 (TR)  
FET 類型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能標準
漏源極電壓 (Vdss)100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）40A （Tc）
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）35 毫歐 @ 17.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)55nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)1550pF @ 25V
功率 - 最大值115W
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝D2PAK
產(chǎn)品目錄頁面1541 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱497-7947-2
STB35NF10T4-ND

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