STB180N55F,STB180N55F|STMicroelectronics代理分銷-STB180N55F原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| STB180N55F3 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET Lo Vltg fast Swtch PNP Pwr transistor RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STB180N55F3 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STB180N55F3 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK 型号：STB180N55F3 仓库库存编号：497-7939-1-ND 别名：497-7939-1 | 无铅 | 搜索 |
PDF查詢| 典型關(guān)斷延遲時間 | 110 ns | |
| 典型接通延遲時間 | 25 ns | |
| 典型柵極電荷@Vgs | 100 nC V @ 10 | |
| 典型輸入電容值@Vds | 6800 pF V @ 25 | |
| 安裝類型 | 表面貼裝 | |
| 寬度 | 10.4mm | |
| 封裝類型 | DPAK | |
| 尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| 引腳數(shù)目 | 3 | |
| 最低工作溫度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 330 W | |
| 最大柵源電壓 | ±20 V | |
| 最大漏源電壓 | 55 V | |
| 最大漏源電阻值 | 3.5 mΩ | |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 120 A | |
| 最高工作溫度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
| 類別 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增強 | |
| 通道類型 | N | |
| 長度 | 10.75mm | |
| 高度 | 4.6mm |
