型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1 型号:SPP35N10 仓库库存编号:SPP35N10IN-ND 别名:SP000013851 SPP35N10IN SPP35N10X SPP35N10XTIN SPP35N10XTIN-ND | 无铅 | 搜索 |
數(shù)據(jù)列表 | SPI,SPP35N10 |
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產(chǎn)品相片 | TO-220-3 |
產(chǎn)品變化通告 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | SIPMOS® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 35A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 44 毫歐 @ 26.4A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 83µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 65nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1570pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 150W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO220-3 |
其它名稱 | SP000013851 SPP35N10IN SPP35N10X SPP35N10XTIN SPP35N10XTIN-ND |