SPP18P06P H,SPP18P06P H|Infineon Technologies代理分銷-SPP18P06PH原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SPP18P06P G |
|---|---|
| 產品相片 | TO-220-3 |
| 標準包裝 | 500 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 18.7A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 130 毫歐 @ 13.2A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 860pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 81.1W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 供應商器件封裝 | PG-TO220-3 |
| 其它名稱 | SP000446906 SPP18P06P G SPP18P06P G-ND SPP18P06PH |
