數(shù)據(jù)列表 | SPI,SPP,SPB21N10 G |
---|---|
產(chǎn)品相片 | TO-262-3 |
產(chǎn)品變化通告 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | SIPMOS® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 21A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 80 毫歐 @ 15A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 44µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 38.4nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 865pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 90W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO262-3 |
其它名稱 | SP000013843 SPI21N10-ND SPI21N10IN SPI21N10X SPI21N10XK |