數據列表 | SP(P,I,A)12N50C3 |
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產品相片 | TO-262-3 |
產品培訓模塊 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
標準包裝 | 500 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | CoolMOS™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 560V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 11.6A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 380 毫歐 @ 7A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 500µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 49nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1200pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 33W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA |
供應商器件封裝 | PG-TO262-3 |
其它名稱 | SP000014467 SPI12N50C3-ND SPI12N50C3IN SPI12N50C3X SPI12N50C3XK |