數(shù)據(jù)列表 | SP(P,B)80N06S2L-H5 |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
產(chǎn)品變化通告 | Product Discontinuation 05/Jun/2008 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | OptiMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
漏源極電壓 (Vdss) | 55V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 80A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 5 毫歐 @ 80A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 230µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 190nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 6640pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 300W |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商器件封裝 | P-TO263-3 |
其它名稱(chēng) | SP000013796 SPB80N06S2LH5T |