數據列表 | SPB04N50C3 |
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產品相片 | TO-263 |
產品培訓模塊 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
標準包裝 | 1,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | CoolMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 560V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 4.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 950 毫歐 @ 2.8A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 200µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 470pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 50W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應商器件封裝 | PG-TO263-3 |
其它名稱 | SP000014477 SPB04N50C3-ND SPB04N50C3INTR SPB04N50C3XT |