數據列表 | SP8M9 |
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產品相片 | 8-SOIC |
產品目錄繪圖 | RRS, RSS Series 8-SOP, 8-SOIC |
特色產品 | ECOMOS? Series MOSFETs |
標準包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | N 和 P 溝道 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 9A,5A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 18 毫歐 @ 9A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 21nC @ 5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1190pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 2W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應商器件封裝 | 8-SOIC N |
其它名稱 | SP8M9TBTR |