SMUN5111DW1T1G,SMUN5111DW1T1G|ON Semiconductor代理分銷-SMUN5111DW1T1G原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | MUN5111DW1, NSBA114EDxx |
|---|---|
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | 晶體管(BJT) - 陣列 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| 晶體管類型 | 2 PNP（雙） |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 50V |
| 不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值） | 250mV @ 300nA，10mA |
| 電流 - 集電極截止（最大值） | 500nA |
| 不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 385mW |
| 頻率 - 躍遷 | - |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | SOT-363 |
| 其它名稱 | SMUN5111DW1T1G-ND SMUN5111DW1T1GOSTR |
