數(shù)據(jù)列表 | SiZ901DT |
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特色產(chǎn)品 | PowerPAIR? |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | TrenchFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 N 溝道(雙)非對稱型 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 22A,32A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 5.8 毫歐 @ 20A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1500pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 4.6W,5.2W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerWDFN |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-PowerPair? |
其它名稱 | SIZ910DT-T1-GE3TR SIZ910DTT1GE3 |