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聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！

產品信息

制造商: Vishay

產品種類: MOSFET

RoHS:  符合

晶體管極性: N-Channel

汲極/源極擊穿電壓: 20 V

閘/源擊穿電壓: 20 V

漏極連續(xù)電流: 35 A

電阻汲極/源極 RDS（導通）: 4.7 mOhms

配置: Single

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PowerPAK 1212-8

封裝: Reel

下降時間: 7 ns

正向跨導 gFS（最大值/最小值） : 50 S

柵極電荷 Qg: 16.5 nC

功率耗散: 33 W

上升時間: 9 ns

典型關閉延遲時間: 16 ns

零件號別名: SIS376DN-GE3

手機網站相關詳細信息：SIS376DN-T1-GE3
旗下站點www.szcwdz.cn相關詳細信息: SIS376DN-T1-GE3
旗下站點lnwkt.cn.cn相關詳細信息: 暫無相關型號

詢價

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• 型號: SIS376DN-T1-GE3 品牌: VISHAY SILICONIX 備注: MOSFET 20 Volts 35 Amps 33 Watts

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