SIHU7N60E-GE3,SIHU7N60E-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷(xiāo)-SIHU7N60EGE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢(xún)| 數(shù)據(jù)列表 | SiHU7N60E |
|---|---|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | E 系列 |
| 包裝 | 散裝 |
| FET 類(lèi)型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 7A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 600 毫歐 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 680pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 78W |
| 安裝類(lèi)型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-251-3 短引線(xiàn)，IPak，TO-251AA |
| 供應(yīng)商器件封裝 | I-Pak |
| 其它名稱(chēng) | SIHU7N60EGE3 |
