SIHF8N50D-E3,SIHF8N50D-E3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SIHF8N50DE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SIHF8N50D |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-220AB |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 500V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 8.7A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 850 毫歐 @ 4A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 527pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 33W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 整包 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | TO-220 整包 |
| 其它名稱 | SIHF8N50D-E3TR SIHF8N50DE3 |
