SIHB33N60E-GE3,SIHB33N60E-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SIHB33N60EGE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SiHB33N60E |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-263 |
| 標準包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | E 系列 |
| 包裝 | 散裝 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 33A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 99 毫歐 @ 16.5A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 3508pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 278W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商器件封裝 | D²PAK |
| 其它名稱 | SIHB33N60EGE3 |
