SIA429DJT-T1-GE3,SIA429DJT-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SIA429DJTT1GE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SiA429DJT |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | PowerPak SC-70-6 Single |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 10.6A （Ta）， 12A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 20.5 毫歐 @ 6A，4.5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 62nC @ 8V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1750pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 19W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PowerPAK? SC-70-6 單 |
| 其它名稱 | SIA429DJT-T1-GE3TR SIA429DJTT1GE3 |
