SIA427DJ-T1-GE3,SIA427DJ-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SIA427DJT1GE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SIA427DJ |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | PowerPak SC-70-6 Single |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 8V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 12A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 16 毫歐 @ 8.2A，4.5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 50nC @ 5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 2300pF @ 4V |
| 功率 - 最大值 | 19W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PowerPAK? SC-70-6 單 |
| 其它名稱 | SIA427DJ-T1-GE3TR SIA427DJT1GE3 |
