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SI9410BDY-T1-E,SI9410BDY-T1-E|Vishay代理分銷(xiāo)-SI9410BDYT1E原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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型号 制造商 描述 操作
SI9410BDY-T1-E3
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MOSFET 30V 8.1A 0.024Ohm

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SI9410BDY-T1-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET Transistor, N-Channel, SO

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Vishay - SI9410BDY-T1-E3 - Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI9410BDY-T1-E3, 6.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
SI9410BDY-T1-E3
品牌：
Vishay
库存编号：
710-4777
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Vishay Siliconix - SI9410BDY-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.2A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO

型号：SI9410BDY-T1-E3
仓库库存编号：SI9410BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI9410BDY-T1-E3CT
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無(wú)圖
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
SI9410BDY-T1-E
制造商型號(hào)： SI9410BDY-T1-E
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N溝道，30V，6.2A，SOIC8
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢
庫(kù)存狀態(tài)： 實(shí)時(shí)庫(kù)存查詢  所在地：深圳原厂原裝現(xiàn)貨
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訂購(gòu)熱線： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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產(chǎn)品信息
典型關(guān)斷延遲時(shí)間30 ns
典型接通延遲時(shí)間10 ns
典型柵極電荷@Vgs15 nC V @ 10
安裝類(lèi)型表面貼裝
寬度4mm
封裝類(lèi)型SOIC N
尺寸5 x 4 x 1.55mm
引腳數(shù)目8
最低工作溫度-55 °C
最大功率耗散1500 mW
最大柵源電壓±20 V
最大漏源電壓30 V
最大漏源電阻值0.024 Ω
最大連續(xù)漏極電流6.2 A
最高工作溫度+150 °C
每片芯片元件數(shù)目1
類(lèi)別功率 MOSFET
通道模式增強(qiáng)
通道類(lèi)型N
配置四漏極、單、三源
長(zhǎng)度5mm
高度1.55mm

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旗下站點(diǎn)lnwkt.cn.cn相關(guān)詳細(xì)信息: 暫無(wú)相關(guān)型號(hào)
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