數(shù)據(jù)列表 | SI8821EDB |
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標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | TrenchFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 1.6A (Ta), 2.3A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 128 毫歐 @ 1A, 4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 440pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 500mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 4-XFBGA,CSPBGA |
供應(yīng)商器件封裝 | 4-Microfoot |
其它名稱 | SI8821EDB-T2-E1TR |