SI8821EDB-T2-E1,SI8821EDB-T2-E1|VISHAY SILICONIX代理分銷-SI8821EDBT2E1原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SI8821EDB |
|---|---|
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 1.6A （Ta）， 2.3A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 128 毫歐 @ 1A， 4.5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 440pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 4-Microfoot |
| 其它名稱 | SI8821EDB-T2-E1TR |
