SI8424CDB-T1-E1,SI8424CDB-T1-E1|VISHAY SILICONIX代理分銷-SI8424CDBT1E1原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SI8424CDB |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 4-UFBGA, WLCSP |
| 特色產(chǎn)品 | N-Channel 8 V (D-S) MOSFETs |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平柵極，1.2V 驅(qū)動(dòng) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 8V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 6.3A （Ta）， 10A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 20 毫歐 @ 2A， 4.5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 40nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 2340pF @ 4V |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 4-UFBGA，WLCSP |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 4-Microfoot |
| 其它名稱 | SI8424CDB-T1-E1TR SI8424CDBT1E1 |
