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SI7962DP-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI7962DP-T1-GE3
制造商型號(hào)： SI7962DP-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢
庫(kù)存狀態(tài)： 實(shí)時(shí)庫(kù)存查詢  所在地：深圳全新原裝現(xiàn)貨
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產(chǎn)品信息
制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS: 符合
晶體管極性:N-Channel
汲極/源極擊穿電壓:40 V
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
漏極連續(xù)電流:7.1 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:17 mOhms
配置:Dual
最大工作溫度:+ 150 C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PowerPAK SO-8
封裝:Reel
最小工作溫度:- 55 C
功率耗散:1.4 W
工廠包裝數(shù)量:3000
零件號(hào)別名:SI7962DP-GE3

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