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SI7850DP-T1-GE3 [更多]	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索查看资料
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SI7850DP-T1 [更多]	Vishay Intertechnologies	MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 RoHS: Not compliant	搜索
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SI7850DP-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SI7850DP-T1-E3 [更多]	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7850DP-T1-E3/BKN) RoHS: Compliant	搜索
SI7850DP-T1-E3 [更多]	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7850DP-T1-E3) RoHS: Not Compliant	搜索
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SI7850DP-T1-E3 [更多]	Vishay Intertechnologies	N CHANNEL MOSFET, 60V, 10.3A, SOIC-8, FU	搜索
SI7850DP-T1-GE3 [更多]	Vishay Intertechnologies	MOSFET, N-CH, 60V, 6.2A, POWERPAK SO	搜索
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型号	制造商	描述	操作
SI7850DP-T1-E3 [更多]	Vishay Intertechnologies	Single N-Channel 60 V 22 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索
SI7850DP-T1-E3 [更多]	Vishay Intertechnologies	Single N-Channel 60 V 22 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索
SI7850DP-T1-GE3 [更多]	Vishay Intertechnologies	Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索
SI7850DP-T1-GE3 [更多]	Vishay Intertechnologies	Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索

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SI7850DP-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 0.018Ohm, ID 6.2A, PowerPAK SO-8, PD 1.8W, -55de

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型号	制造商	描述	操作
SI7850DP-T1-E3 [更多]	Vishay Intertechnologies	MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 pbFree: Pb-Free	搜索
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型号

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操作

SI7850DP-T1
[更多]

Vishay Intertechnologies

MOSFET Transistor, N-Channel, LLCC

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聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！

SI7850DP-T1
制造商型號： SI7850DP-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 60V 10.3A 4.5W
技術參考：

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由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫龐大，部分產(chǎn)品信息可能未能及時更新，下單前請與銷售人員確認好實時在庫數(shù)量，謝謝合作！

產(chǎn)品信息

制造商:

Vishay

產(chǎn)品種類:

MOSFET

RoHS:

否

晶體管極性:

N-Channel

汲極/源極擊穿電壓:

60 V

閘/源擊穿電壓:

+/- 20 V

漏極連續(xù)電流:

6.2 A

電阻汲極/源極 RDS（導通）:

22 mOhms

配置:

Single

最大工作溫度:

+ 150 C

安裝風格:

SMD/SMT

封裝 / 箱體:

PowerPAK SO-8

封裝:

Reel

下降時間:

10 ns

最小工作溫度:

- 55 C

功率耗散:

1.8 W

上升時間:

10 ns

工廠包裝數(shù)量:

3000

商標名:

TrenchFET

典型關閉延遲時間:

25 ns

手機網(wǎng)站相關詳細信息：SI7850DP-T1
旗下站點www.szcwdz.cn相關詳細信息: SI7850DP-T1
旗下站點lnwkt.cn.cn相關詳細信息: 暫無相關型號

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