SI7501DN-T1-E,SI7501DN-T1-E|Vishay代理分銷-SI7501DNT1E原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 典型關斷延遲時間 | 20（N 通道）ns，25（P 通道）ns | |
| 典型接通延遲時間 | 10 ns | |
| 典型柵極電荷@Vgs | 12.5 nC @ 10 V（P 溝道），9 nC @ 10 V（N 溝道） | |
| 安裝類型 | 表面貼裝 | |
| 寬度 | 3.05mm | |
| 封裝類型 | PowerPAK 1212 | |
| 尺寸 | 3.05 x 3.05 x 1.04mm | |
| 引腳數(shù)目 | 8 | |
| 最低工作溫度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1600 mW | |
| 最大柵源電壓 | ±20（N 通道）V，±25（P 通道）V | |
| 最大漏源電壓 | 30 V | |
| 最大漏源電阻值 | 0.035（N 通道）Ω，0.051（P 通道）Ω | |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 5.4 A | |
| 最高工作溫度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
| 類別 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增強 | |
| 通道類型 | N，P | |
| 配置 | 共四漏極、雙 | |
| 長度 | 3.05mm | |
| 高度 | 1.04mm |
