數(shù)據(jù)列表 | Si7411DN |
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產品相片 | PowerPAK 1212-8 |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 7.5A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 19 毫歐 @ 11.4A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 300µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 41nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 1.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | PowerPAK? 1212-8 |
供應商器件封裝 | PowerPAK? 1212-8 |
產品目錄頁面 | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | SI7411DN-T1-GE3TR SI7411DNT1GE3 |