數(shù)據(jù)列表 | Si7220DN |
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產(chǎn)品相片 | SO-8 Dual Pad |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個(gè) N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 3.4A |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 60 毫歐 @ 4.8A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 1.3W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | PowerPAK? 1212-8 雙 |
供應(yīng)商器件封裝 | PowerPAK? 1212-8 Dual |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | SI7220DN-T1-GE3TR SI7220DNT1GE3 |