數據列表 | SI7137DP |
---|---|
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | TrenchFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 42A (Ta), 60A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 1.95 毫歐 @ 25A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 585nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 20000pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 104W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | PowerPAK? SO-8 |
供應商器件封裝 | PowerPAK? SO-8 |
其它名稱 | SI7137DP-T1-GE3-ND SI7137DP-T1-GE3TR SI7137DPT1GE3 |