SI6562DQ-T1-GE3,SI6562DQ-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷(xiāo)-SI6562DQT1GE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | Si6562DQ |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 8-TSSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 陣列 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類(lèi)型 | N 和 P 溝道 |
| FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 4.5A，3.5A |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 30 毫歐 @ 4.5A，4.5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 25nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 8-TSSOP |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | SI6562DQ-T1-GE3TR SI6562DQT1GE3 |
