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聲明：圖片僅供參考，請以實(shí)物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

數(shù)據(jù)列表	SI5938DU
標(biāo)準(zhǔn)包裝	3,000
類別	分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭	FET - 陣列
系列	TrenchFET®
包裝	帶卷 (TR)
FET 類型	2 個 N 溝道（雙）
FET 功能	邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)	20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）	6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）	39 毫歐 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)	16nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)	520pF @ 10V
功率 - 最大值	2.3W
安裝類型	表面貼裝
封裝/外殼	PowerPAK? CHIPFET? 雙
供應(yīng)商器件封裝	PowerPAK? ChipFet 雙
其它名稱	SI5938DU-T1-E3TR SI5938DU-T1-GE3 SI5938DU-T1-GE3TR SI5938DU-T1-GE3TR-ND

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詢價

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• *所需產(chǎn)品：
• 型號: SI5938DU-T1-E3 品牌: VISHAY SILICONIX 備注: MOSFET DUAL N-CH 20V 6A 8PWRPAK

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• 備注內(nèi)容：

  

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