SI5913DC-T1-E3,SI5913DC-T1-E3|VISHAY SILICONIX代理分銷(xiāo)-SI5913DCT1E3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| SI5913DC-T1-E3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| SI5913DC-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 84mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SI5913DC-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5913DC-T1-E3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 1.7W（Ta），3.1W（Tc） 1206-8 ChipFET? 型号：SI5913DC-T1-E3 仓库库存编号：SI5913DC-T1-E3-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SI5913DC |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | Pkg 5547 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | LITTLE FOOT® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類(lèi)型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 二極管（隔離式） |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 4A |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 84 毫歐 @ 3.7A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 330pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-SMD，扁平引線 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 1206-8 ChipFET? |
