SI5853DC-T1-E3,SI5853DC-T1-E3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SI5853DCT1E3原裝現貨,PDF下載
PDF查詢| 數據列表 | SI5853DC |
|---|---|
| 產品相片 | Pkg 5547 |
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 二極管（隔離式） |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 2.7A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 110 毫歐 @ 2.7A，4.5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 7.7nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-SMD，扁平引線 |
| 供應商器件封裝 | 1206-8 ChipFET? |
| 其它名稱 | SI5853DC-T1-E3TR |
