SI5519DU-T1-GE3,SI5519DU-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SI5519DUT1GE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SI5519DU |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | SI5519DU-T1-GE3 |
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 陣列 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | N 和 P 溝道 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 6A，4.8A |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 36 毫歐 @ 6.1A，4.5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 17.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 660pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.27W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | PowerPAK? CHIPFET? 雙 |
| 供應商器件封裝 | PowerPAK? ChipFet 雙 |
| 其它名稱 | SI5519DU-T1-GE3TR SI5519DUT1GE3 |
