SI4660DY-T1-GE3,SI4660DY-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SI4660DYT1GE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SI4660DY |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 17.2A （Ta）， 23.1A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 5.8 毫歐 @ 15A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2410pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 5.6W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 8-SOIC N |
| 產(chǎn)品目錄頁面 | 1662 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | SI4660DY-T1-GE3TR SI4660DYT1GE3 |
