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聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

	典型關(guān)斷延遲時(shí)間	30（P 溝道）ns，31（N 溝道）ns
	典型接通延遲時(shí)間	23（P 溝道）ns，74（N 溝道）ns
	典型柵極電荷@Vgs	12 nC @ -20 V（P 溝道），8 nC @ 20 V（N 溝道）
	典型輸入電容值@Vds	355 pF @ 20 V（N 溝道），480 pF @ -20 V（P 溝道）
	安裝類型	表面貼裝
	寬度	4mm
	封裝類型	SO-8
	尺寸	5 x 4 x 1.5mm
	引腳數(shù)目	8
	最低工作溫度	-55 °C
	最大功率耗散	2.75（N 溝道）W，2.95（P 溝道）W
	最大柵源電壓	±16 V
	最大漏源電壓	40（N 溝道）V，-40（P 溝道）V
	最大漏源電阻值	0.122（P 溝道）Ω，070（N 溝道）Ω
	最大連續(xù)漏極電流	-4.4（P 溝道）A，5（N 溝道）A
	最高工作溫度	+150 °C
	每片芯片元件數(shù)目	2
	類別	功率 MOSFET
	通道模式	增強(qiáng)
	通道類型	N，P
	配置	雙、雙漏極
	長(zhǎng)度	5mm
	高度	1.5mm

手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：SI4567DY-T1-E
旗下站點(diǎn)www.szcwdz.cn相關(guān)詳細(xì)信息: SI4567DY-T1-E
旗下站點(diǎn)lnwkt.cn.cn相關(guān)詳細(xì)信息: 暫無(wú)相關(guān)型號(hào)

詢價(jià)

業(yè)務(wù)受理時(shí)間：周一至周五（上午9:00～下午18:00），下午17:00之前的訂單當(dāng)日發(fā)貨，17:00之后的訂單次日發(fā)貨（周日、節(jié)假日順延），推薦合作貨運(yùn)物流：順豐快遞�？爝f費(fèi)用：23元。

• *所需產(chǎn)品：
• 型號(hào): SI4567DY-T1-E 品牌: Vishay 備注: MOSFET，雙，N/P溝道，40V，4.1A/3.6A，SOIC8

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

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