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聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！

產(chǎn)品信息

	典型關(guān)斷延遲時間	20（N 溝道）ns，40（P 溝道）ns
	典型接通延遲時間	15（N 溝道）ns，30（P 溝道）ns
	典型柵極電荷@Vgs	13 nC @ 30 V（N 溝道），14.5 nC @ -30 V（P 溝道）
	典型輸入電容值@Vds	650 pF @ -15 V（P 溝道），665 pF @ 15 V（N 溝道）
	安裝類型	表面貼裝
	寬度	4mm
	封裝類型	SO-8
	尺寸	5 x 4 x 1.5mm
	引腳數(shù)目	8
	最低工作溫度	-55 °C
	最大功率耗散	3.1（N 溝道）W，3.4（P 溝道）W
	最大柵源電壓	±20 V
	最大漏源電壓	60（N 溝道）V，-60（P 溝道）V
	最大漏源電阻值	0.072（N 溝道）Ω，0.15（P 溝道）Ω
	最大連續(xù)漏極電流	-3.9（P 溝道）A，5.3（N 溝道）A
	最高工作溫度	+150 °C
	每片芯片元件數(shù)目	2
	類別	功率 MOSFET
	通道模式	增強
	通道類型	N，P
	配置	雙、雙漏極
	長度	5mm
	高度	1.5mm

手機網(wǎng)站相關(guān)詳細信息：SI4559ADY-T1-GE
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詢價

業(yè)務(wù)受理時間：周一至周五（上午9:00～下午18:00），下午17:00之前的訂單當(dāng)日發(fā)貨，17:00之后的訂單次日發(fā)貨（周日、節(jié)假日順延），推薦合作貨運物流：順豐快遞�？爝f費用：23元。

• *所需產(chǎn)品：
• 型號: SI4559ADY-T1-GE 品牌: Vishay 備注: MOSFET，雙，N/P溝道，60V，4.3A/3A，SO8

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

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