SI4435DYTR,SI4435DYTR|International Rectifier代理分銷(xiāo)-SI4435DYTR原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V RoHS: Compliant | 搜索 |
| SI4435DY-T1-REVA [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS: Not compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI4435DYTRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4435DYTRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4435DYTRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P-CH, -30V, -8A, SOIC-8
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| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P-CH, -30V, -8A, SOIC-8
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| SI4435DYTRPBF. [更多] | Infineon Technologies AG | P CHANNEL MOSFET, 8A
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single P-Channel 30 V 0.02 Ohm 40 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single P-Channel 30 V 0.02 Ohm 40 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -30V, RDS(ON) 0.015Ohm, ID -8A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-20V, -55 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4435DYTRPBF [更多] | International Rectifier | 8 A, 30 V, 0.02 OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, MS-012AA, SO-8
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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PDF查詢(xún)| 數(shù)據(jù)列表 | SI4435DY |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,000 |
| 類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類(lèi)型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 8A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 20 毫歐 @ 8A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 2320pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 8-SO |
