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聲明：圖片僅供參考，請以實(shí)物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

	典型關(guān)斷延遲時間	150 ns
	典型接通延遲時間	25 ns
	典型柵極電荷@Vgs	33 常閉 V @ 5
	安裝類型	表面貼裝
	寬度	4mm
	封裝類型	SOIC N
	尺寸	5 x 4 x 1.55mm
	引腳數(shù)目	8
	最低工作溫度	-55 °C
	最大功率耗散	1.35 W
	最大柵源電壓	±8 V
	最大漏源電壓	20 V
	最大漏源電阻值	0.017 Ω
	最大連續(xù)漏極電流	7.3 A
	最高工作溫度	+150 °C
	每片芯片元件數(shù)目	1
	類別	功率 MOSFET
	通道模式	增強(qiáng)
	通道類型	P
	配置	四漏極、單、三源
	長度	5mm
	高度	1.55mm

手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：SI4403BDY-T1-E
旗下站點(diǎn)www.szcwdz.cn相關(guān)詳細(xì)信息: SI4403BDY-T1-E
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詢價

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• *所需產(chǎn)品：
• 型號: SI4403BDY-T1-E 品牌: Vishay 備注: MOSFET，P溝道，20V，7.3A，SOIC8

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

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