SI4102DY-T1-GE,SI4102DY-T1-GE|Vishay代理分銷-SI4102DYT1GE原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 典型關斷延遲時間 | 12 ns | |
| 典型接通延遲時間 | 10 ns | |
| 典型柵極電荷@Vgs | 4.6 nC V @ 6, 7.1 nC V @ 10 | |
| 典型輸入電容值@Vds | 370 pF V @ 50 | |
| 安裝類型 | 表面貼裝 | |
| 寬度 | 4mm | |
| 封裝類型 | SOIC N | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.55mm | |
| 引腳數(shù)目 | 8 | |
| 最低工作溫度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.4 W | |
| 最大柵源電壓 | ±20 V | |
| 最大漏源電壓 | 100 V | |
| 最大漏源電阻值 | 0.158 Ω | |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 2.7 A | |
| 最高工作溫度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
| 類別 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增強 | |
| 通道類型 | N | |
| 配置 | 四漏極、單、三源 | |
| 長度 | 5mm | |
| 高度 | 1.55mm |
