SI3951DV-T1-GE3,SI3951DV-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SI3951DVT1GE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI3951DV-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| SI3951DV-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SI3951DV-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3951DV-T1-GE3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP 详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.7A 2W Surface Mount 6-TSOP 型号：SI3951DV-T1-GE3 仓库库存编号：SI3951DV-T1-GE3-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SI3951DV |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | Pkg 5540 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 陣列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | 2 個(gè) P 溝道（雙） |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 2.7A |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 115 毫歐 @ 2.5A，4.5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 5.1nC @ 5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 250pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 6-TSOP |
